| Hersteller | Chotest |
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| Modell Nr.*1 | W1 | W1-pro | W1-Ultra | W1-Lite |
|---|---|---|---|---|
| Lichtquelle | Weiße LED | |||
| Videosystem | 1024×1024 | |||
| Objektivlinse | Standard: 10X (Optional: 2.5X, 5X, 20X, 50X, 100X) | Standard: 0.5X (Optional: 0.375X, 0.75X) | ||
| Optischer Zoom | Standard: 0.5X (Optional: 0.375X, 0.75X, 1X) | Standard: 0.5X (Optional: 0.375X, 0.75X) | ||
| Standard Sichtfeld | 0.98×0.98 mm | |||
| Objektivrevolver | Standard: Manueller 3-Loch-Revolver (Optional: Motorisierter 5-Loch-Revolver) | |||
| Objekttischgröße | 320×200mm | 300×300mm | 320×200mm | 220×220mm |
| Verfahrweg | 140×100mm | 200×200mm | 140×100mm | 100×100mm |
| Tragfähigkeit | 10kg | 10kg | ||
| Steuerungsmethode | Motorisiert | Motorisiert | ||
| Neigung | ±5° | ±3° | ||
| Verfahrweg Z-Achse | 100mm | 50mm | ||
| Steuerungsmethode | Motorisiert | |||
| Z-Hub-Scanbereich | 10mm | |||
| Oberflächenform-Wiederholgenauigkeit*2 | 0.1nm | |||
| Rauheit RMS Wiederholgenauigkeit*3 | 0.005nm | |||
| Schichthöhenmessung*4 | Genauigkeit: 0.3%; Wiederholgenauigkeit: 0.08%(1σ) | Genauigkeit: 0.5% Wiederholgenauigkeit: 0.1%(1σ) | ||
| Scan-Geschwindigkeit bei 0.1nm Auflösung | 1.85μm/s | 8μm/s | 1.85μm/s | |
| Reflektivität des Testobjekts | 0.05%~100% | |||
| Gewicht | <160 kg | 50 kg | ||
| Abmessungen (L×B×H) | 700×606×920mm | 440×330×700mm | ||
| Temperatur | 15°C~30°C, Schwankung <1°C/15min | |||
| Luftfeuchtigkeit | 5%~95% RH, keine Kondensation | |||
| Vibration | VC-C oder besser | |||
| Software-Rauschbewertung*5 | 3σ≦4nm | |||
| Druckluft | 0.6Mpa ölfrei, wasserfrei, 6mm Schlauchdurchmesser | |||
| Stromversorgung | AC100~240V, 50/60Hz, 4A, 300W | |||
| Sonstiges | Kein starkes Magnetfeld, Kein korrosives Gas | |||
*1 W1 ist das Standardmodell des optischen 3D-Oberflächenprofilometers; W1-pro hat einen größeren Messtisch und Verfahrbereich.
W1-Ultra hat die Scangeschwindigkeit im Vergleich zu W1 stark verbessert.
*2 Verwenden Sie den EPSl-Modus, um Sa 0,2nm Silizium-Wafer in der Laborumgebung zu messen; Einzelstreifen, 80um Filter für volles Sichtfeld *3 Messen Sie Sa 0,2nm Silizium-Wafer in einer Laborumgebung gemäß der ISO 25178.
*4 Messung des Standardblocks mit 4,7 μm Stufenhöhe in einer Laborumgebung gemäß ISO 5436-1:2000
*5 Wenn die Software Rauschen Bewertung ist 4nm≤3σ≤10nm, die Rauheit RMS Wiederholbarkeit ist bis zu 0,015nm, die Stufenhöhe Messgenauigkeit ist bis zu 0,7%, und die Stufenhöhe Messung Wiederholbarkeit ist bis zu 0,12%; Wenn die Software Rauschen Bewertung ist 3σ>10nm, die Umwelt nicht die Anforderung für die Verwendung der Ausrüstung, und müssen die Website zu ändern.
Es wird für die Messung und Analyse der Oberflächenrauheit und des Profils von Präzisionskomponenten aus den Bereichen Halbleiter, 3C-Elektronik, Ultrapräzisionsbearbeitung, optische Bearbeitung, Mikro-Nanomaterialien und mikroelektromechanische Systeme verwendet.
Integrierte Software: Messung und Analyse werden über dieselbe Schnittstelle gesteuert; mit voreingestellten Analyseparametern generiert die Software automatisch Messdaten und ermöglicht eine schnelle CNC-Messung.
